EUV单次曝光能力为24nm节距。

EUV光刻机的光源是波长13.5nm的极紫外光，现在可以量产的芯片工艺制程最小是4nm，可流片最小工艺制程是3nm。这些工艺是通过多次曝光和其他技术实现的，而光刻机本身EUV单次曝光实际上是24nm。

引述原文佐证：本周在SPIE高级光刻会议上，世界领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心IEMC与世界领先的半导体光刻设备制造商ASML宣布了一项合作成果。在印刷24nm节距线方面取得突破，该节距对应于3nm节点中关键后段金属层节距。通过在IMEC洁净室中将先进的成像方案，创新的光阻材料和ASML的NXE:3400B系统上的优化设置相结合，使该系统能够在单个曝光步骤中以24nm的节距打印图形。