近几年，半导体技术发展速度非常迅猛，芯片生产工艺在短短几年间，从10nm发展到如今的5nm，未来还将继续向3nm、2nm挺进。4月16日消息，据说台积电已经获得支持，有望在2030年量产1nm以下工艺。



为了协助台积电、日月光等半导体厂商，提前布局12寸晶圆制造利基设备，高雄半导体材料专区将建立南部半导体材料S廊带，用于掌握关键化学品和材料优化参数。简单理解为，高雄半导体材料专区将建立一块专门的区域，用于研发更先进的材料，用来生产1nm以下工艺芯片。

比纳米更小的长度单位为埃米，1埃米=0.1nm。想要突破1nm极限生产更先进的工艺，那么就需要进入到埃米工艺时代。要知道目前ASML最远规划的光刻机型号EXE:5200，数值孔径为0.55NA，最大限度也仅能服务于1nm工艺。而且，硅片、曝光洁净室也都达到了物理极限，想要将芯片工艺突破到埃米工艺，是非常大的挑战。