NVRAM和FLASh区别如下：

NVRAM（Non-Volatile Random Access Memory）：非易失性随机访问存储器。电子设备能快速地访问该存储空间的内容（大多数情况下此类设备都是以字节方式地访问这些内容，并且掉电后也能保存它们）。有多种技术能实现这一策略，其中EEPROM是比较常见的。但是需注意的是：在手机设计中，通常用ROM的一个或两个扇区（实际上更多的情况下这个ROM就是 FLASH）来模拟NVRAM，这样做的原因当然是节省花费了（因为ROM是必须的，而NVRAM则不一定）。

FLASH：是一种ROM（Read Only Memory），与其他ROM的不同在于半导体等级。注意：FLASH必须以扇区为单位访问，而NVRAM以字节为单位访问。这是NVRAM驱动必须实现一个算法（即一开始就复制一个扇区内的所有内容到RAM）的原因。