1、一种perc太阳能电池的镀膜方法，包括：
对石墨舟进行预处理
将装载有硅片的所述预处理后的石墨舟置于pecvd炉管内，使用所述pecvd炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜，所述复合膜包括氮化硅膜，所述硅片通过卡点固定在所述石墨舟上
其中，所述预处理的步骤包括在石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在所述碳化硅膜表面形成氮化硅膜。
2、根据权利要求1所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述碳化硅膜的厚度大于所述氮化硅膜的厚度。
3、根据权利要求2所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述碳化硅膜的厚度为300-360纳米，所述氮化硅膜的厚度为10-20纳米。
4、根据权利要求3所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述预处理步骤还包括在沉积所述碳化硅膜之前清洗并烘干所述石墨舟的步骤。
5、根据权利要求4所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述清洗的清洗液包括氢氟酸，所述镀膜后需要对所述石墨舟进行再预处理，所述再预处理包括所述清洗并烘干所述石墨舟，且每a次再预处理执行一次在所述碳化硅膜表面形成氮化硅膜的步骤，每b次再预处理执行一次在石墨舟表面形成碳化硅膜步骤，b>a。
6、根据权利要求1所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述复合膜还包括氧化铝膜和碳化硅膜，所述使用所述pecvd炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜的步骤中，石墨舟上设有陶瓷套圈。
7、根据权利要求1所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述预处理的步骤之后、所述使用所述pecvd炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜的步骤之前，还包括用石墨舟校准器对石墨舟进行校准，使各石墨舟片之间的间隙相同的步骤。
8、根据权利要求1所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述在石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在所述碳化硅膜表面形成氮化硅膜的步骤是使用所述pecvd炉管沉积形成。
9、根据权利要求1-8中任一项所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述在石墨舟表面形成碳化硅膜的步骤中，射频功率为7500～8200watt、射频占空比为5：50～5：80，气体压强为1500～1700mtorr，硅烷：甲烷的流量比为1：8～1：10，等离子体的反应时间为3000～3600秒。
10、根据权利要求9所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述在所述碳化硅膜表面形成氮化硅膜的步骤中，射频功率、射频占空比、气体压强与形成碳化硅膜的步骤相同，且氨气：硅烷的流量比为4.2：1～5：1，等离子体的反应时间120～150秒。
11、根据权利要求10所述的perc太阳能电池的镀膜方法，其特征在于，所述石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在所述碳化硅膜表面形成氮化硅膜的步骤中，所述pecvd炉管内五个温区的温度分别为450～463℃，445～452℃，440～452℃，440～446℃，435～440℃。
技术总结
本发明涉及一种PERC太阳能电池的镀膜方法，包括：对石墨舟进行预处理将装载有硅片的预处理后的石墨舟置于PECVD炉管内，使用PECVD炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜，硅片通过卡点固定在所述石墨舟上其中，预处理的步骤包括在石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在碳化硅膜表面形成氮化硅膜。本发明对硅片背面镀膜前先在石墨舟表面形成碳化硅膜、在碳化硅膜表面形成氮化硅膜，该碳化硅膜使得石墨舟壁表面具有较好的平坦度，能够使得在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中形成的氮化硅膜均匀成膜。并且石墨舟表面镀上氮化硅膜后，能够缓解在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中氮化硅镀到石墨舟和卡点上导致的硅片边角和卡点处出现的色差。
