超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。

Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。