东芝闪存颗粒命名规则

命名规则：THGAF4G9N4LBAIR（UFS2.1，15nm，MLC）

字符1： T: "Toshiba" 东芝

字符2： H: "Multi-chip" 多芯片封装

字符3： G: Symbol of Type of flash type "IC" 集成电路

字符4： A: Symbol of "voltage type" 表示供电电压类型

字符5： F: NAND Interface type is "UFS" 闪存接口类型为UFS

字符6： 4: Unique code of controller revision 内置控制器版本为4

字符7： G: Memory density calculated by G bits 容量用G bits表示

字符8： 9: Memory density is 2^9=512G bits (64GB) 2的9次方，512G bits，即64GB

字符9： N: Symbol of "cell level" (cell technology) 架构为MLC

字符10： 4: Number of stacked chips is 4 封装内含堆叠芯片数为4

字符11： L: Symbol of "Design rule" 15nm (K for 19nm， J for 24nm) 制程为15nm

字符12-13： BA: Package type is BGA lead free and halogen free 无铅无卤素BGA封装

字符14： I: Symbol of Mode "industrial version" -25ºC to 85ºC 工业版本

字符15： R: Symbol of "Package size" 11.5mmx13mmx1.0mm 封装大小

其中，第9个字符与闪存架构有关：

1）SLC（Single-Level Cell）为S或H

2）DLC（Dua-Level Cell）为D或E【不常见】

3）TLC（Triple-Level Cell）为T或U

4）MLC（Multi-Level Cell）为B、C、J、K、L、N 等。