南大光电的ArF光刻胶已经进入到验证阶段

南大光电的ArF光刻胶已经进入到验证阶段，车间产线已经送样了，

半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)。

248nm波长光源的光刻胶为KrF光刻胶，193nm波长光源的光刻胶被称为ArF光刻胶，两者都属于深紫外光刻胶，在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下，已经进入到了远低于自己波长的制程工艺中，

比如，ArF光刻系统已经进入到了45nm到10nm之间的半导体制程工艺中，属于当前市场的主流需求。