芯片制造工艺目前主要存在两个困难。

一由于光的衍射现象导致无法刻出更细的电路。

二是随着晶体管尺寸的缩小，源极和栅极间的沟道也在不断缩短，当沟道缩短到一定程度的时候，量子隧穿效应就会变得极为容易，换言之，就算是没有加电压，源极和漏极都可以认为是互通的，那么晶体管就失去了本身开关的作用，因此也没法实现逻辑电路。但是从现在来看，7nm工艺已经成熟，5nm工艺也投入生产，但是却比理论计算的结果有所差距。所以5纳米不是硅晶芯片的极限，极限很可能是3纳米。