三星12nm 32Gb DDR5内存成功点亮

三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang近日宣布，三星将采用12纳米级工艺技术，开发出容量最大的32Gb DDR5 DRAM。这款内存产品在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍。 三星最新的12纳米级32Gb内存，是基于最新的32Gb内存颗粒开发的。即使不使用硅通孔（TSV）工艺，也能生产出128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。 三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级的32Gb内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。 全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。