第四代半导体是指以氧化镓（Ga2O3）和锑化物等为代表的半导体材料，相比其他半导体材料，第四代半导体材料拥有体积更小、能耗更低、功能更强等优势，可以在苛刻的环境条件下能够更好地运用在光电器件、电力电子器件中。

其中，锑化物半导体在开发下一代的小体积、轻重量、低功耗、低成本器件，及其要求极为苛刻的应用方面就具有着不可替代的独特优势。新体系中的锑化物半导体当之无愧占据了第四代半导体的核心地位。