晶圆生产：包含硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型三个步骤，目前国际主流是8英寸晶圆，部分晶圆厂12英寸产线逐步投产，晶圆尺寸越大，良品率越高，最终生产的单个器件成本越低，市场竞争力越大

芯片设计：IGBT制造的前期关键流程，目前主流的商业化产品基于Trench-FS设计，不同厂家设计的IGBT芯片特点不同，表现在性能上有一定差异

芯片制造：芯片制造高度依赖产线设备和工艺，全球能制造出顶尖光刻机的厂商不足五家；要把先进的芯片设计在工艺上实现有非常大的难度，尤其是薄片工艺和背面工艺，目前这方面国内还有一些差距

器件封装：器件生产的后道工序，需要完整的封装产线，核心设备依赖进口。

IGBT为垂直导电大功率器件，IGBT晶圆厚度决定了其器件的耐压水平。由于IGBT晶圆原材料厚度较厚，只适用于生产高压IGBT芯片，对于中低压IGBT芯片，需要使用减薄工艺对IGBT晶圆进行减薄。减薄工艺是使用带有一定大小颗粒的研磨轮对晶圆进行研磨，研磨后会在晶圆表面产生凹凸不平的研磨纹，晶圆表层内部结构将会被破坏，产生大量暗纹、缺陷(损伤层)，这些暗纹和缺陷分布在晶圆表层一定的厚度内，且分布不规则、不均匀。

这些缺陷在IGBT芯片中会产生载流子复合中心，不均匀的缺陷分布会使IGBT芯片电学性能不稳定，而且缺陷与暗纹会造成应力，应力会使减薄后的晶圆弯曲，翘曲度变大，给后续工艺带来较大的困难。