不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，一个个的链接方法不现实，所以采用光刻蚀技术。

光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。

这项技术对于所用光的波长要求极为严格，需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜。

刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。

每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。

设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量，而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步（每一步进行一层刻蚀）。

而且每一层刻蚀的图纸如果放大许多倍，可以和整个纽约市外加郊区范围的地图相比，甚至还要复杂。

当这些刻蚀工作全部完成之后，晶圆被翻转过来。

短波长光线透过石英模板上镂空的刻痕照射到晶圆的感光层上，然后撤掉光线和模板。

通过化学方法除去暴露在外边的感光层物质，而二氧化硅马上在陋空位置的下方生成。