芯片制程：
1971年10微米；（英特尔推出4004处理器）1974年6微米；1978年3微米（1978年美国第一台g线光刻机DSW4800）1982年1.5微米；
1985年1微米（1985年中国第一台g线光刻机）1987年800纳米；1990年600纳米；1993年350纳米；1996年250纳米；1999年180纳米；2001年130纳米；2003年90纳米；（asml与台积电联合制造的机沉浸式光刻机TAT：1150i）2005年65纳米；2007年45纳米；（asml与台积电联合制造的量产版沉浸式光刻机TXT：1900i）2009年32纳米；2012年22纳米；2014年14纳米；（2013年asml首台量产版EUV光刻机NXE3300B交付使用）。2016年10纳米；2018年7纳米；2020年5纳米。
