3nm之后芯片制造要采用新的架构。

GAA架构实现了栅极对通道之间的四面环绕，被广泛认为是FinFET的继任者。三星在3nm芯片首先采用了该架构。台积电对于3nm自然延续5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构的换代，2nm改采全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，研发进度超前。