最高4纳米。

光刻机本身最高的应该是euv极紫外光光源波长的光刻机，其波长为13.5纳米。用euv光刻机可以制造22纳米以下制程的芯片，目前最高可商业量产芯片的制程为4纳米，分别是高通骁龙8移动平台系列和联发科天玑9000。而未商业量产阶段的芯片最高可以到3纳米制程。